H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-PBC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G6NBJR-VKC بواسطة SK hynix و H5AN4G6NBJR-PBC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G6NBJR-VKC | H5AN4G6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Operating Current | 38 mA (typical, per distributor data) | — |
| الواجهة | Parallel | DDR4 (double data rate, synchronous) |
| Technology | CMOS | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] |
| العلبة | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) | FBGA-96 (PBGA96), rectangular |
| Body Size | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration; write leveling | — |
| Protection Functions | Asynchronous reset; CRC; data mask | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| التنظيم | — | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Terminals | — | 96 |
| الميزات | — | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC |
| Data Rate / Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] |
| Process | — | CMOS |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) |
| Temperature Grade | — | OTHER (per distributor listing) |