H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-PBC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G6NBJR-VKC توسط SK hynix و H5AN4G6NBJR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G6NBJR-VKC | H5AN4G6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| نرخ داده | 2666 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Operating Current | 38 mA (typical, per distributor data) | — |
| رابط | Parallel | DDR4 (double data rate, synchronous) |
| Technology | CMOS | — |
| دمای کاری | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] |
| بستهبندی | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) | FBGA-96 (PBGA96), rectangular |
| Body Size | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration; write leveling | — |
| Protection Functions | Asynchronous reset; CRC; data mask | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| سازمان | — | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Terminals | — | 96 |
| ویژگیها | — | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC |
| Data Rate / Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] |
| Process | — | CMOS |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) |
| Temperature Grade | — | OTHER (per distributor listing) |