H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-PBC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN4G6NBJR-VKC מאת SK hynix ו H5AN4G6NBJR-PBC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN4G6NBJR-VKC | H5AN4G6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| קצב נתונים | 2666 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Operating Current | 38 mA (typical, per distributor data) | — |
| ממשק | Parallel | DDR4 (double data rate, synchronous) |
| Technology | CMOS | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] |
| מארז | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) | FBGA-96 (PBGA96), rectangular |
| Body Size | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration; write leveling | — |
| Protection Functions | Asynchronous reset; CRC; data mask | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| ארגון | — | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Terminals | — | 96 |
| תכונות | — | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC |
| Data Rate / Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] |
| Process | — | CMOS |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) |
| Temperature Grade | — | OTHER (per distributor listing) |