H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 8 | — |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (PC2400) | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC) | — |
| العلبة | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | Active | — |
| حالة RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| حالة دورة الحياة | — | Active |