H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-UHC توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ فعال
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-VKC
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
سازمان 512M x 8 —
نرخ داده 2400 Mbps (PC2400) 2666 Mbps (DDR4-2666)
ولتاژ تغذیه 1.2 V —
رابط DDR4 (JEDEC) —
بسته‌بندی TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Lifecycle Code Active —
وضعیت RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet)
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] [DATA_NEEDED: refresh rate]
اندازه حافظه — 4 Gb
Memory Organization — 512M x8
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Volatile / Non-Volatile — Volatile
Packaging — Tray
وضعیت چرخه عمر — Active

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت