H5AN4G8NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG4NBJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-UHC | H5ANAG4NBJR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 512M x 8 | 256M x16 |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (PC2400) | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC) | CMOS, DDR4 (double data rate) |
| العلبة | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | FBGA-96 (PBGA96) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| حالة RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Clock / Data Rate | — | 1.6 GHz |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |