H5AN4G8NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-UHC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN4G8NBJR-UHC bằng SK hynix và H5ANAG4NBJR-UHC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5ANAG4NBJR-UHC H5ANAG4NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-UHC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN4G8NBJR-UHC H5ANAG4NBJR-UHC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs DRAM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Tổ chức 512M x 8 256M x16
Tốc độ dữ liệu 2400 Mbps (PC2400) —
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Giao diện DDR4 (JEDEC) CMOS, DDR4 (double data rate)
Hộp TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-96 (PBGA96)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount (BGA)
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
Trạng thái RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) Compliant
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] —
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Clock / Data Rate — 1.6 GHz
Data Mask (DM) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Self-Refresh — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá