H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-UHCR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-VKC بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHCR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-UHCR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder-down) |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] |
| حالة RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | Compliant |
| Packaging | Tray | — |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| التنظيم | — | 512M x 8 |
| Speed Grade | — | UH (DDR4-2400 class, PC2400) |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (VDD) |
| الواجهة | — | DDR4 SSTL12 |
| Internal Prefetch | — | 8n |
| Operating Case Temperature | — | -40C to +85C (industrial range) |
| Extended Temperature Range | — | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Packaging Suffix | — | -R = Tape and Reel |