H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-UHCR So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN4G8NBJR-VKC bằng SK hynix và H5AN4G8NBJR-UHCR bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-UHCR
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
Tốc độ dữ liệu 2666 Mbps (DDR4-2666) —
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Hộp FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount (BGA solder-down)
Technology CMOS DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] [DATA_NEEDED: CL value for UH grade]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification]
Trạng thái RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) Compliant
Packaging Tray —
Trạng thái vòng đời Active —
Density — 4 Gbit
Tổ chức — 512M x 8
Speed Grade — UH (DDR4-2400 class, PC2400)
Điện áp cung cấp — 1.2 V (VDD)
Giao diện — DDR4 SSTL12
Internal Prefetch — 8n
Operating Case Temperature — -40C to +85C (industrial range)
Extended Temperature Range — Up to +95C case temperature (per datasheet conditions)
Lead Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes
Packaging Suffix — -R = Tape and Reel

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá