H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-VKC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-VKI بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 8 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| العلبة | FBGA-78 | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | — |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| حالة دورة الحياة | — | Active |