H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-VKI توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 512M x 8 | — |
| نرخ داده | 2666 Mbps | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | — |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| اندازه حافظه | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| وضعیت چرخه عمر | — | Active |