H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NAFR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NCJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | 2400 MT/s | 2666 Mbps (MT/s) |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA) | FBGA-96 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0C to +95C |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| الواجهة | — | Parallel |
| Standby Current | — | 28 mA |
| Operating Current | — | 45 mA |
| الميزات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet description) |
| حالة دورة الحياة | — | Active |