H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-PBC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NAFR-VKC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NAFR-PBC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ نشط
SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-PBC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs DRAM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
التنظيم 1G x 8 1G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (VKC bin) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
الواجهة SSTL12 DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Burst Length 8 (BL8) —
Bank Group Architecture Supported (per DDR4 JEDEC architecture) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes (DLL for output skew control) —
العلبة 78-ball FBGA FBGA-78
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Process Technology CMOS CMOS
Recommended Application Main memory requiring large density and high bandwidth —
جهد التغذية — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر