H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-PBC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NAFR-VKC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NAFR-PBC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-PBC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs DRAM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
संगठन 1G x 8 1G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (VKC bin) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
इंटरफ़ेस SSTL12 DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Burst Length 8 (BL8) —
Bank Group Architecture Supported (per DDR4 JEDEC architecture) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes (DLL for output skew control) —
पैकेज 78-ball FBGA FBGA-78
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS स्थिति Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Process Technology CMOS CMOS
Recommended Application Main memory requiring large density and high bandwidth —
सप्लाई वोल्टेज — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Lead-Free — Yes
हैलोजन फ्री — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017

डेटाशीट और संसाधन

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