H5ANAG4NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-VKC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG4NBJR-RDC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NBJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-VKC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
التنظيم 4G x 4 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
Supply Voltage VDD 1.2 V —
معدل البيانات 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
العلبة 78-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Prefetch 16n (bank group architecture) —
الواجهة SSTL-12 DDR4, SSTL-12
الميزات Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode —
Refresh Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] —
Operating Temperature (case) -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) —
Temperature Grade Suffix RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free —
حالة RoHS Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
VDDQ 1.2 V —
Product Family SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series —
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Memory Density — 16Gb (2GB)
جهد التغذية — 1.2 V (DDR4 standard)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +95C (family grade reference)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر