H5ANAG4NBJR-VKC vs H5ANAG4NBJR-UHC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG4NBJR-VKC بواسطة SK hynix و H5ANAG4NBJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5ANAG4NBJR-VKC H5ANAG4NBJR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-VKC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG4NBJR-VKC H5ANAG4NBJR-UHC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة DRAM DRAM
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type DDR4 SDRAM —
Density 16 Gb 4 Gbit
العلبة FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-96 (PBGA96)
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +95 C (case, industrial with auto self-refresh) —
Speed Grade VKC (commercial speed bin - see SK hynix part number decoder) —
معدل البيانات [DATA_NEEDED: data rate (MT/s) for -VKC bin] —
VDD Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
VDDQ Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage] —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC / CA Parity Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
نوع التركيب Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
خالٍ من الهالوجين [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
حالة RoHS Compliant (per distributor listing) Compliant
نوع الذاكرة — DDR4 SDRAM
التنظيم — 256M x16
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Clock / Data Rate — 1.6 GHz
درجة حرارة التشغيل — -40C to +95C
الواجهة — CMOS, DDR4 (double data rate)
Data Mask (DM) — Yes
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT
CRC Function — Yes
زمن الوصول CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر