H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-PBC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NAMR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCR-PBC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-PBC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
التنظيم 1G x 16 x16 (1G x 16)
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
العلبة FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96
نوع التركيب Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to 85C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
نوع الواجهة Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
حالة دورة الحياة Active production —
Density — 16Gb (2GB)
جهد التغذية — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Transfer Rate — 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps])
Number of Terminals — 96 balls
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر