H5ANAG6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NBJR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN4G6NBJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG6NBJR-UHC | H5AN4G6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| الواجهة | DDR4 (CMOS) | CMOS, fully synchronous |
| العلبة | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) | — |
| Package Dimensions | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) | — |
| Access Mode | Multi Bank, Page Burst | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| Data Mask | Supported (DM function) | — |
| Asynchronous Reset | Supported | Yes |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Write Leveling | Supported | Yes |
| CRC | Supported | — |
| Supply Voltage Class | DDR4 (1.2 V class) | — |
| حالة RoHS | RoHS Compliant | — |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| HTS Code | 8542.32.00.36 | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] | — |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Package Code | — | TFBGA (FBGA-96) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Package Width | — | 7.5 mm |
| Number of Terminals | — | 96 |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet |
| Self Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask Function | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| CRC Function | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) |
| Speed Grade | — | -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) |