H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NCMR-XNI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NCJR-XNC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCMR-XNI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NCMR-XNI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $68.91 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| حجم الذاكرة | 16 Gbit | 16 Gb |
| Memory Organization | 1G x 16 | 1G x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps/pin | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| الواجهة | Parallel | Parallel (DDR4) |
| العلبة | FBGA-96 | FBGA-96 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM |
| Power Class | — | Normal Power |
| Product Status | — | Active |
| Application Domain | — | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics |
| Memory Format | — | DRAM |
| Speed Bin Family | — | UH/VK/WM/XN |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| VPP Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |