H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NCR-RDC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NCR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NCR-RDC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Mobile LPDDR4 Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) —
التنظيم 1G x 16 1G x 16
الواجهة CMOS, Double Data Rate IV —
العلبة FBGA-96 (PBGA-96) 96-ball FBGA
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] 1.2 V
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
حجم الذاكرة — 16 Gb (2 GB)
معدل البيانات — 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر