H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG6NAMR-UHC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG8NAMR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NAMR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG6NAMR-UHC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer SK Hynix —
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
التنظيم 2G x 8 1G x 16
معدل البيانات DDR4-2400 (2400 MT/s) —
جهد التغذية 1.2 V —
العلبة FBGA-78 FBGA-96 (PBGA96)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
الواجهة Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
حالة RoHS Compliant (lead-free FBGA package) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
زمن الوصول CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
نوع الواجهة — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
حالة دورة الحياة — Active production

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر