H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG8NBJR-PBC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG8NBJR-VKC بواسطة SK hynix و H5ANAG8NBJR-PBC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG8NBJR-VKC | H5ANAG8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit (2 GB) |
| التنظيم | 2G x 8 | x8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) | — |
| جهد التغذية | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | FBGA-78 | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 30 mA (operating, per distributor listing) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | PBC suffix, DDR4-2666 class |
| Bank Architecture | — | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) |
| Prefetch | — | 8n |
| نوع الواجهة | — | Parallel, SSTL12 |
| CAS Latency (typical bin) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes |
| Die Revision | — | BJR |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard quantity] |