H5ANAG8NCMR-XNI vs H5ANAG8NCJR-XNC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG8NCMR-XNI بواسطة SK hynix و H5ANAG8NCJR-XNC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ نشط
SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCJR-XNC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $65.63
نوع الذاكرة Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
حجم الذاكرة 16 Gb —
Memory Organization x8 —
الواجهة Parallel —
معدل البيانات 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
العلبة FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh specification]
Density — 16 Gbit
التنظيم — 2G x 8
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر