IAUA120N04S5N014AUMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUA120N04S5N014AUMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N04S6N009ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUA120N04S5N014AUMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUA120N04S5N014AUMA1 —
Series OptiMOS™ 5 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V 1.4 mΩ —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C 136 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet] —
العلبة PG-HSOF-5-2 (sTOLL) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 5 + Tab (6 effective) —
Gate Drive Enhancement Mode —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
تيار التصريف النبضي — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر