IAUA120N04S5N014AUMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUA120N04S5N014AUMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6N009ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUA120N04S5N014AUMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.18 $1.60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUA120N04S5N014AUMA1 —
Series OptiMOS™ 5 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V 1.4 mΩ —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C 136 W —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet] —
패키지 PG-HSOF-5-2 (sTOLL) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 5 + Tab (6 effective) —
Gate Drive Enhancement Mode —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

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