IAUC100N10S5N040ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N10S5N040ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC100N04S6L025ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-5 OptiMOS 6 40V trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 100 A (package-limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
RDS(on) max @ VGS=10V 4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation (PD) 167 W @ TC=25C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.9 K/W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) —
العلبة PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (up to 260C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101 qualified
Avalanche Rating 100% Avalanche tested —
AOI Compatibility Feasible for Automatic Optical Inspection —
حالة RoHS Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 62 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر