IAUC100N10S5N040ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUC100N10S5N040ATMA1 bằng Infineon và IAUC100N04S6L025ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUC100N10S5N040ATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS-5 | OptiMOS 6 40V trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 100 A (package-limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 167 W @ TC=25C | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.9 K/W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (junction) | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (up to 260C peak reflow) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche tested | — |
| AOI Compatibility | Feasible for Automatic Optical Inspection | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 62 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| Lead-Free | — | Yes |