IAUC100N10S5N040ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC100N10S5N040ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC100N04S6L025ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUC100N10S5N040ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-5 OptiMOS 6 40V trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 100 A (package-limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
RDS(on) max @ VGS=10V 4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation (PD) 167 W @ TC=25C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.9 K/W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (up to 260C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101 qualified
Avalanche Rating 100% Avalanche tested —
AOI Compatibility Feasible for Automatic Optical Inspection —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 62 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں