IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUC100N10S5L040ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC120N04S6N009ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC100N10S5L040ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L040ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40V OptiMOST 5 Power-Transistor (IAUC)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
تيار التصريف النبضي [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
مستوى MSL 1 —
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
نوع الترانزستور — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
On-State Resistance RDS(on) max — 4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic Level
Continuous Power Dissipation (Tc) — 167 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C (junction)
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% production avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for automatic optical inspection

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر