IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUC100N10S5L040ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N04S6N009ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC100N10S5L040ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40V OptiMOST 5 Power-Transistor (IAUC)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
Pulsed Dræn Akımı [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
Transistor Türü — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
On-State Resistance RDS(on) max — 4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic Level
Continuous Power Dissipation (Tc) — 167 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (junction)
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% production avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for automatic optical inspection

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin