IAUC60N04S6N044ATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC60N04S6N044ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC90N10S5N062ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C 60 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V 4.4 mΩ —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: typical gate charge] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C 42 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C -55 C to +175 C
العلبة PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified (IAUC prefix) AEC-Q101 qualified
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 90 A
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.2 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 115 W
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (260 C peak reflow)
RoHS / Green Product — Yes (RoHS compliant, Green Product)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر