IAUC60N04S6N044ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC60N04S6N044ATMA1 بواسطة Infineon و IAUZN04S7L030ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C 60 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V 4.4 mΩ —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: typical gate charge] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C 42 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
العلبة PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified (IAUC prefix) AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
RoHS Compliance — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر