IAUC60N04S6N044ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUC60N04S6N044ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUZN04S7L030ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1 - 40V 4.4mΩ 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N044ATMA1 - 40V 4.4mΩ 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N044ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUZN04S7L030ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Technology OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C 60 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V 4.4 mΩ —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: typical gate charge] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C 42 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55°C to +175°C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified (IAUC prefix) AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
RoHS Compliance — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট