IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7L005ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L042GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) Trench N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 430 A (Tj) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] —
On-Resistance R_DS(on) max 0.52 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 179 W (T_C) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (Tj) -55C to +175C (Tj)
العلبة PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
عدد الأطراف 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 40V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر