IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7L006ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN08S7N024ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C -55C to +175C (typical automotive)
العلبة PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench OptiMOS 7 trench
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
حالة RoHS Compliant —
عدد الأطراف 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
تبديد القدرة (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS Compliance — Compliant
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر