IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7L006ATMA1 توسط Infineon و IAUCN08S7N024ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1 - 80V 165A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024ATMA1 - 80V 165A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C -55C to +175C (typical automotive)
بسته‌بندی PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench OptiMOS 7 trench
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
وضعیت RoHS Compliant —
تعداد پایه 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
اتلاف توان (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS Compliance — Compliant
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت