IAUCN04S7L028ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7L028ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N037GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN04S7L028ATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 2.80 mOhm at VGS=10 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 1.8 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | 24 nC at VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.578 nF | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | 788 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 36 pF | — |
| تبديد القدرة (Ptot) | 58 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | — | Trench MOSFET, N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 91 A |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |