IAUCN04S7L028ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUCN04S7L028ATMA1 bằng Infineon và IAUCN04S7N037GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 7
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 2.80 mOhm at VGS=10 V —
On-State Resistance (RDS(on)) 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 1.8 V (typ) —
Gate Charge (Qg) 24 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.578 nF [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) 788 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 36 pF —
Tiêu hao điện năng (Ptot) 58 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +175 C —
Hộp PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Technology — Trench MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá