IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7L042GATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L005ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 40V —
Technology Trench N-Channel MOSFET OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
العلبة PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-TDSON-8-43 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (Tj) -55°C to +175°C (Tj)
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 430 A (Tj)
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C]
On-Resistance R_DS(on) max — 0.52 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 179 W (T_C)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total Q_g in nC]
عدد الأطراف — 8
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر