IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7L042GATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7L005ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 40V —
Technology Trench N-Channel MOSFET OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
بسته‌بندی PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-TDSON-8-43 (TDSON-8)
نوع نصب Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +175C (Tj) -55°C to +175°C (Tj)
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 430 A (Tj)
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C]
On-Resistance R_DS(on) max — 0.52 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 179 W (T_C)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total Q_g in nC]
تعداد پایه — 8
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت