IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7L042GATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L005ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 40V —
Technology Trench N-Channel MOSFET OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
Paket PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-TDSON-8-43 (TDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (Tj) -55°C to +175°C (Tj)
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 430 A (Tj)
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C]
On-Resistance R_DS(on) max — 0.52 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 179 W (T_C)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total Q_g in nC]
Pin Sayısı — 8
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin