IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7N006ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L006ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS-7 trench
العلبة PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-43
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
حالة RoHS — Compliant
عدد الأطراف — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر