IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7N009ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S6N009TATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
العلبة PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-LHDSO-10-2 (SSO10T)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant —
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Part Family — OptiMOS 6 40 V
Part Number — IAUCN04S6N009T
Ordering Code (MPN) — IAUCN04S6N009TATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) — 330 A
Power Dissipation (PD, at Tc) — 178 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر