IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N009ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S6N009TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
Paket PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-LHDSO-10-2 (SSO10T)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant —
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Part Family — OptiMOS 6 40 V
Part Number — IAUCN04S6N009T
Ordering Code (MPN) — IAUCN04S6N009TATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) — 330 A
Power Dissipation (PD, at Tc) — 178 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin