IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUCN04S7L009ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7N037GATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L009ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7L009ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Technology Trench MOSFET, N-Channel OptiMOS™ 7 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 91 A —
On-State Resistance RDS(on) typical 3.65 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc 57 W —
العلبة SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
نوع التركيب Surface Mount (IMS substrate attach compatible) Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] -55 °C to +175 °C (Tj)
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Part Number — IAUCN04S7L009ATMA1
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) — 275 A (Tj)
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) — 175 A
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) — 129 W
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 0.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر