IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUCN04S7L009ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N037GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L009ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7L009ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Technology Trench MOSFET, N-Channel OptiMOS™ 7 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 91 A —
On-State Resistance RDS(on) typical 3.65 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc 57 W —
پیکیج SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (IMS substrate attach compatible) Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] -55 °C to +175 °C (Tj)
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Part Number — IAUCN04S7L009ATMA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) — 275 A (Tj)
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) — 175 A
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) — 129 W
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 0.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں