IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUCN04S7L014ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7N037GATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L014ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN04S7N037GATMA1 | IAUCN04S7L014ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 40V Automotive |
| Technology | Trench MOSFET, N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 91 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) typical | 3.65 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 57 W | — |
| العلبة | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) |
| نوع التركيب | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] | -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) |
| Gate Charge (Qg) typical | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.43 mΩ |
| جهد عتبة البوابة | — | [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Configuration | — | Single N-Channel MOSFET |