IAUCN08S7L024ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN08S7L024ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN08S7L033ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN08S7L024ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 177 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (Silicon-limited) | 150 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.4 mΩ at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 148 W (Tc) | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (Tj) | -55°C to +175°C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| Qualification | — | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |