IAUCN08S7L024ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L024ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7L024ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 177 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Silicon-limited) 150 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.4 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (PD) 148 W (Tc) —
Paket PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (Tj) -55°C to +175°C (TJ)
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin