IAUCN08S7L033ATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN08S7L033ATMA1 بواسطة Infineon و BSC005N03LS5IATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ نشط
Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN08S7L033ATMA1 BSC005N03LS5IATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ) —
العلبة PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) —
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
حالة RoHS Compliant Compliant (per LCSC listing)
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Number — BSC005N03LS5IATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 42 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 433 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max — 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ) at VGS = 10 mA
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 188 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Polarity — N-Channel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر